產品應用
產品介紹
武漢延旌科技致力于為客戶提供各種III-V族化合物半導體外延片，主要產品包括GaAs基和InP基的外延片產品。
InP基外延片
InGaAs APD
因具有高增益、高靈敏度和高探測率等優點，雪崩探測器（APD）在微弱光信號探測領域有重要應用，其主要應用市場包括光通訊和激光雷達。
APD的生長對摻雜和擴散深度的控制要求極高。分子束外延技術（MBE）能精確控制薄膜的生長厚度和摻雜組分，這使其成為APD外延片的首選生長方法。
InP基外延片
InP HBT
由于具有良好的增益、帶寬和線性度等優點，InP基異質結雙極晶體管(HBT)在高頻功率放大器領域有較好的應用，其主要市場在高速光纖通訊領域，如40G和100G。
GaAs基外延片
GaAs pHEMT
因具有低噪聲和極快開關速度等優點，GaAs基pHEMT被廣泛應用于高速射頻器件，射頻開關是pHEMT的主要應用市場。基于pHMET設計的電路可用于高速通訊如光纖通訊、無線局域網、點對點微波通訊、數字電視等。此外，由于其速度快和擊穿電壓高，GaAs基pHEMT也可用于毫米波功率放大器。
行業應用
通信
物聯網
智慧醫療
智能駕駛